Maxima 6 GaN은 원래 Maxima 3와 동일한 편리한 올인원 폼 팩터로 60,000루멘 이상을 제공합니다. 또한 우수한 냉각 기술과 모든 기후 조건에 대한 저항성을 갖춘 동일한 높은 색상 정확도(98.3 CRI)를 제공합니다. Maxima 6 GaN은 기존 700W Drove 기술과 비슷한 출력을 제공하는 매우 밝고 컴팩트한 방향성 Drove 설비입니다.
이 회사는 또한 시장에서 가장 조용한 음향 공간을 가지고 있다고 주장합니다. Maxima에 따르면 이 모든 것은 차세대 질화갈륨(GaN) 회로를 채택했기 때문에 가능했다고 합니다. 적어도 제가 아는 한, 우리 업계에서 조명 장비에 사용된 것은 이번이 처음입니다.
주요 특징
무게 4kg, 외부 안정기가 없는 컴팩트한 올인원 디자인;
조용한 작동;
69000루멘, 소비전력은 600W에 불과합니다.
99 TLCI, 98 CRI(R9 94 및 R12 97 포함);
5600K, 전체 스펙트럼 백색광;
녹색/자홍색 색상 변화가 없는 뛰어난 백색점 정확도;
25,000시간 사용 후 0.2% 색상 변화로 뛰어난 장기 색상 안정성;
전체 광 출력의 최대 65%까지 조용한 작동이 가능한 특허 받은 전체 구리 방열판;
35V~75V의 모든 타사 전원을 사용하여 최대 전력 DC 배터리 작동;
소프트박스와 원추형 반사경의 빛 채우기를 개선하기 위해 쌍곡선 곡률을 갖춘 탈착식 저분산 비구면 렌즈;
3가지 작동 모드: 무음(최대 350W) 일반(최대 450W) 부스트(최대 600W);
블루투스 및 DMX512 연결;
최대 200000fps까지 깜박임 방지;
내후성;
모듈식 및 업그레이드 가능한 디자인;
환경 친화적이며 EU 규정을 준수합니다.
이태리에서 만듦
Maxima 6 GaN은 Maxima 3의 후속 제품입니다. 작년에 사이트에서 더 작은 Maxima 3를 리뷰했습니다. 나는 Maxima 3가 유난히 뛰어난 색상 정확도와 적절한 출력량을 갖춘 잘 만들어지고 세심하게 고안된 장치라는 것을 알았습니다. 올인원 디자인과 세심한 배려가 마음에 들었습니다.
이 조명기는 정말 좋은 품질의 조명을 생산하며 프레넬 사용에서 소프트박스로 얼마나 빨리 전환할 수 있는지도 마음에 들었습니다.
Maxima 6 GaN은 모든 Profoto RFI 및 Bowens S 장착 액세서리와 기본적으로 호환됩니다. 업계 최초로 ARRI QLM 시스템과도 호환됩니다. 이를 통해 ARRI Orbiter 광학 장치를 장비에 부착할 수 있습니다. 또한 Profoto 액세서리는 OmniMount에 기본적으로 장착되므로 어댑터가 필요하지 않습니다.
프레넬 렌즈는 2023년 말까지 액세서리로 출시될 예정입니다.
GaN이란 무엇입니까?
Maxima 6 GaN은 질화갈륨 회로로 구동되는 세계 최초의 Drove 램프로, 전례 없는 무게 대비 조도 비율, 동급 최고의 효율성, 높은 CRI 연색성을 제공합니다. GaN 반도체는 본질적으로 실리콘보다 효율적이므로 열로 소비되는 에너지가 적기 때문에 더 높은 전력 밀도(더 작은 부피)로 더 효율적인 시스템을 구현할 수 있습니다.
Maxima에 따르면 특허 받은 전체 구리 방열판과 고급 열 관리 기능이 결합되어 Maxima 6 GaN이 밝기와 소형화 측면에서 모두 성능 차트의 최상위에 올랐습니다.
GaN 회로와 혁신적인 열 관리 하위 시스템을 통해 향상된 효율성은 수년간 일관성과 최대 성능을 보장합니다.
갈륨 질화물 회로 덕분에 35~75V의 타사 DC 소스(예: Bebop, FXLion, Arri)와 함께 Maxima 6 GaN을 사용할 수 있습니다.
갈륨 질화물은 높은 온도에서 작동할 수 있는 고전력 트랜지스터에 적합한 III/V 바이너리 직접 밴드갭 반도체입니다. 1990년대부터 발광 다이오드(LED)에 일반적으로 사용되었습니다. 질화갈륨은 블루레이 디스크를 읽는 데 사용되는 청색광을 방출합니다. 또한 질화갈륨은 반도체 전력 장치, RF 부품, 레이저 및 포토닉스에 사용됩니다. 미래에는 센서 기술에서 GaN을 보게 될 것입니다.
2006년, GaN FET라고도 하는 강화 모드 GaN 트랜지스터는 MOCVD(금속 유기 화학 기상 증착)를 사용하여 표준 실리콘 웨이퍼의 AIN 층에 얇은 GaN 층을 성장시켜 생산되기 시작했습니다. . AIN 층은 기판과 GaN 사이의 버퍼 역할을 합니다. 이 새로운 공정을 통해 실리콘과 동일한 기존 공장에서 거의 동일한 제조 공정을 사용하여 질화갈륨 트랜지스터를 생산할 수 있게 되었습니다. 알려진 프로세스를 사용하면 비슷하게 낮은 제조 비용이 가능하고 훨씬 향상된 성능을 갖춘 더 작은 트랜지스터를 채택하는 데 대한 장벽이 낮아집니다.
좀 더 자세히 설명하자면, 모든 반도체 재료에는 밴드갭(Bandgap)이라는 것이 있습니다. 이는 전자가 존재할 수 없는 고체의 에너지 범위입니다. 간단히 말해서, 밴드갭은 고체 물질이 전기를 얼마나 잘 전도할 수 있는지와 관련이 있습니다. 질화갈륨은 실리콘의 1.12eV에 비해 밴드갭이 3.4eV입니다. 갈륨 질화물의 밴드 갭이 더 넓다는 것은 실리콘 MOSFET보다 더 높은 전압과 더 높은 온도를 견딜 수 있다는 것을 의미합니다. 이러한 큰 밴드갭을 통해 질화갈륨을 고전력, 고주파 광전자 장치에 적용할 수 있습니다.
갈륨비소(GaAs) 트랜지스터보다 훨씬 더 높은 온도와 전압에서 작동할 수 있는 능력 덕분에 질화갈륨 전력 증폭기는 위에서 언급한 미래 시장인 이미징 및 감지와 같은 마이크로파 및 테라헤르츠(ThZ) 장치에 이상적입니다.
질화갈륨의 장점
GaN 장치의 가치 제안은 다음 네 가지 주요 사항으로 구성됩니다.
에너지 비용 절감 GaN 반도체는 본질적으로 실리콘보다 효율적이기 때문에 열 형태로 소비되는 에너지가 적어 시스템 크기와 재료 비용이 줄어듭니다.
더 높은 전력 밀도(더 작은 부피) 실리콘보다 더 높은 스위칭 주파수와 작동 온도로 인해 냉각 요구 사항이 낮아지고 방열판이 작아지며 액체 냉각에서 공기 냉각으로 전환되고 팬이 제거되며 자성이 감소됩니다.
더 높은 스위칭 주파수 GaN 장치의 더 높은 스위칭 주파수로 인해 전력 회로에 더 작은 인덕터와 커패시터를 사용할 수 있습니다. 인덕턴스와 커패시턴스는 주파수에 비례하여 감소합니다. 주파수가 10배 증가하면 커패시턴스와 인덕턴스가 10배 감소합니다. 이를 통해 무게와 부피는 물론 비용도 크게 줄일 수 있습니다. 또한, 주파수가 높을수록 모터 드라이브 애플리케이션에서 소음이 줄어들 수 있습니다. 고주파수는 또한 더 높은 전력에서 무선 전력 전송을 허용하고, 더 많은 공간적 자유를 제공하며, 더 큰 전송-수신 에어 갭을 허용합니다.
낮은 시스템 비용 GaN 반도체는 일반적으로 실리콘보다 비싸지만 GaN을 사용하면 수동 유도성 및 용량성 회로 요소, 필터, 냉각 등과 같은 다른 구성 요소의 크기/비용을 줄여 시스템 수준 비용을 절감할 수 있습니다. 10-20%
